RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
68
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
68
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2007
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link