RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3385
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link