RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3385
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link