RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link