RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
87
101
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
101
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
12.1
Скорость записи, Гб/сек
870.4
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1382
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link