RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3036
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link