RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Lenovo 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link