RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
65
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link