RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
65
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link