RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3396
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 991556 (996556) 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link