RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3509
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link