RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3509
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link