RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link