RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3625
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link