RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3625
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link