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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
16.8
写入速度,GB/s
12.0
14.3
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3625
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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