RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
68
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2007
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link