RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2898
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link