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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
2898
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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