RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
68
En 60% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
68
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2007
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link