RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3728
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link