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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Puntuación global
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.1 left arrow 9.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.9 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 37
    En -16% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 14900
    En 1.14 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.1 left arrow 9.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.9 left arrow 8.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 2271

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