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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
比較する
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
総合得点
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
総合得点
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
8.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
37
周辺 -16% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
14900
周辺 1.14 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
32
読み出し速度、GB/s
15.1
9.8
書き込み速度、GB/秒
9.9
8.6
メモリ帯域幅、mbps
14900
17000
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2506
2271
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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