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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

総合得点
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

総合得点
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 32
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB 考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    16.9 left arrow 9.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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