RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2271
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link