SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.1 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.9 left arrow 8.6
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 37
    Intorno -16% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 14900
    Intorno 1.14 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.1 left arrow 9.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.9 left arrow 8.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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