RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
59
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
9.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2128
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link