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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
59
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
2,066.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
59
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
9.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2128
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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