RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
62
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3606
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link