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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    70 left arrow 73
    Rund um -4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,643.2 left arrow 1,423.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 70
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,510.5 left arrow 3,279.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,423.3 left arrow 1,643.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    476 left arrow 454

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