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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
70
73
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,643.2
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
73
70
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
3,279.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
1,643.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
6400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
454
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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