RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
23.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
62
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
23.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
18.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
4124
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link