RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
62
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3505
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link