RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
62
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3568
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link