RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3568
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link