RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
51
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
9.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2248
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link