RAM-Vergleich Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Gesamtnote

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 51

Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.7 9.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.6 7.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2312 2248

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns