RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
62
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.8
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
18.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
4119
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link