RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2400
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link