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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
38
读取速度,GB/s
10.6
13.9
写入速度,GB/s
6.8
10.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2400
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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