Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

总分
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 71
    左右 58% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    6.8 left arrow 4.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
    左右 1.25 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    30 left arrow 71
  • 读取速度,GB/s
    10.6 left arrow 6.1
  • 写入速度,GB/s
    6.8 left arrow 4.8
  • 内存带宽,mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1479 left arrow 1092
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