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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
71
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
4.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
71
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
6.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
4.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
10600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1092
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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