Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 71
    En 58% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 4.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
    En 1.25 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 71
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 4.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1479 left arrow 1092
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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