RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 71
    周辺 58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 4.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 6.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 4.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 1092

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB RAMの比較

Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
メモリRAM