RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
4.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
10600
8500
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
71
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
6.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
4.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
10600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1092
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link