Comparação RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Pontuação geral

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 71

Por volta de 58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.6 6.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

6.8 4.8

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Maior largura de banda de memória, mbps

10600 8500

Por volta de 1.25 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1479 1092

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns