Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Note globale
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 71
    Autour de 58% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    6.8 left arrow 4.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 8500
    Autour de 1.25 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    30 left arrow 71
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    6.8 left arrow 4.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1479 left arrow 1092
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons