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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
71
Autour de 58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
8500
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
71
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
4.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
10600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1092
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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