RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2443
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link