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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2708
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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