RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
62
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.5
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
7.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2213
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link