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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Especificaciones
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
62
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
57
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2213
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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