RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link