RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2173
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link